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ECIS細(xì)胞動(dòng)態(tài)分析儀

ECIS是一種先進(jìn)的生物傳感器技術(shù),能夠測(cè)量由于細(xì)胞貼壁狀態(tài)、位置、形態(tài)等方面發(fā)生的變化。將細(xì)胞添加在特殊電極板的微孔內(nèi)(400ml),通過微電流傳感器實(shí)時(shí)、定量、非介入性的

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測(cè)量細(xì)胞活性狀態(tài)的改變。 如圖為一個(gè)8孔金屬電極測(cè)量板,每孔中均可培養(yǎng)細(xì)胞。當(dāng)細(xì)胞在電極上附著并且貼壁變化或者遷移時(shí),這些變化被傳輸?shù)絻x器的檢測(cè)端,該變化反映了細(xì)胞的一些特性改變,如:形態(tài)學(xué)變化、貼壁能力、細(xì)胞遷移運(yùn)動(dòng)、細(xì)胞覆蓋程度、細(xì)胞與基底空間等。

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產(chǎn)品介紹

ECIS細(xì)胞動(dòng)態(tài)分析儀應(yīng)用

一、 細(xì)胞損傷修復(fù)應(yīng)用

傳統(tǒng)細(xì)胞損傷修復(fù)

傳統(tǒng)的細(xì)胞損傷修復(fù)實(shí)驗(yàn)一般使用生長(zhǎng)增殖快的單細(xì)胞層,然后在細(xì)胞層上劃一條線,小面積的細(xì)胞層被損傷。當(dāng)周圍細(xì)胞進(jìn)入并且生長(zhǎng)填滿被損壞的區(qū)域時(shí)(修復(fù)),可以用顯微鏡檢查到損壞的區(qū)域里的細(xì)胞狀況。

2)ECIS技術(shù)方法

ECIS方法則可以完成自動(dòng)化分析實(shí)驗(yàn)。當(dāng)給予電極較強(qiáng)的瞬間電流時(shí),測(cè)量電極上的細(xì)胞就會(huì)被擊穿、損傷,然后有部分細(xì)胞死亡。
典型的損傷修復(fù)實(shí)驗(yàn)如下圖所示。BSC1細(xì)胞首先長(zhǎng)成單細(xì)胞層,然后兩個(gè)孔中給予點(diǎn)擊,使測(cè)量電極上的細(xì)胞死亡,引起阻抗值降低。隨時(shí)間的延長(zhǎng)這兩個(gè)曲線又回到初始數(shù)值,這是由于那些在電極外的正常細(xì)胞向損傷地區(qū)遷移并重新生長(zhǎng)并且替換已死去細(xì)胞。


ECIS是完全自動(dòng)化的分析方法,整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程在軟件控制下進(jìn)行,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)有很好的重復(fù)性,并且有利于進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。

二、 細(xì)胞伸展貼壁

ECIS技術(shù)的重要應(yīng)用之一是研究細(xì)胞伸展貼壁行為。這種測(cè)量方法可以研究細(xì)胞與細(xì)胞外基質(zhì)的相互作用對(duì)細(xì)胞貼壁能力的作用。這種方法是實(shí)時(shí)的和定量地,和傳統(tǒng)的終點(diǎn)法相比有著顯著的優(yōu)勢(shì)。


如圖所示兩種不同類型的細(xì)胞貼壁速度存在很大差異。首先將同樣數(shù)目的BSC1和NRK細(xì)胞接種在電極孔中,直至兩種細(xì)胞形成密集的細(xì)胞層,很明顯BSC1細(xì)胞有著更快的貼壁和生長(zhǎng)速度。

三、腫瘤細(xì)胞侵潤(rùn)研究

內(nèi)皮細(xì)胞層的建立

ECIS圓孔電極首先包被明膠層,然后HUVEC細(xì)胞懸液加入到板孔中,在加入細(xì)胞后的2個(gè)小時(shí)形成單細(xì)胞層:

上圖分別是加入G細(xì)胞、AT3細(xì)胞和對(duì)照的內(nèi)皮細(xì)胞層阻抗曲線??梢钥吹诫S著腫瘤細(xì)胞的加入,內(nèi)皮細(xì)胞層阻抗值開始降低,并且AT3細(xì)胞引起的降低更加顯著,阻抗值降低的原因是由腫瘤細(xì)胞的侵入影響了完整的內(nèi)皮細(xì)胞層。

四、體外毒理學(xué)檢測(cè)

細(xì)胞的生長(zhǎng)受到培養(yǎng)基中化學(xué)成分的影響,因此可以利用ECIS技術(shù)檢測(cè)藥物對(duì)細(xì)胞的毒理學(xué)影響:

上圖是十二烷基磺酸鈉對(duì)WI-38細(xì)胞的作用,可以看出這種化合物對(duì)細(xì)胞的生長(zhǎng)有著明顯的抑制作用,并且濃度越高抑制效果越顯著。

五、細(xì)胞的趨化遷移

ECIS細(xì)胞動(dòng)態(tài)分析儀有著高靈敏度,甚至可以檢測(cè)單個(gè)細(xì)胞的微運(yùn)動(dòng):

A:以葉酸為趨化化合物,少量NC4A2細(xì)胞從電極板一側(cè)(左下)遷移(右上)測(cè)量到的細(xì)胞層電阻值變化。由圖可見,隨著細(xì)胞進(jìn)入電極孔范圍,電阻值上升,隨著細(xì)胞進(jìn)一步遷移出電極孔,電阻值又下降

B:顯微鏡下觀察遷移過程,與電阻測(cè)定值對(duì)應(yīng)

六、其它的應(yīng)用

細(xì)胞層屏障功能的研究

細(xì)胞信號(hào)轉(zhuǎn)導(dǎo)的研究

流動(dòng)狀態(tài)下細(xì)胞行為的研究

 

更詳細(xì)的介紹請(qǐng)見美國(guó)Applied Biophysics公司的主頁:

http://www.biophysics.com/index.html


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